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液晶与显示

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2026年01期

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量子点发光材料 | 配位型亚铜卤化物发光材料与器件研究进展

量子点发光材料 | 配位型亚铜卤化物发光材料与器件研究进展

摘要：新一代发光器件要求发光材料具有光致发光量子产率高、光谱大范围可调、溶液加工性好、原料可及性高、环境友好等优势。然而目前性能优异的铅卤钙钛矿和镉基量子点对人类健康构成威胁，因此需要开发性能相当且低毒的发光材料。配位型亚铜卤化物是一类面向新型显示与照明器件的发光材料,在无铅、无镉金属卤化物发光材料中展现出领先的发光性能，是铅卤钙钛矿和镉基量子点在发光器件领域的有力竞争者。近年来，配位型亚铜卤化物发光材料研究取得了显著进展，研究者设计和合成了一系列具有不同配体和无机单元的配位型亚铜卤化物，实现了覆盖可见光光谱的可调光致发光和接近 100% 的光致发光量子产率。基于配位型亚铜卤化物的电致发光器件可实现高达 23.5% 的外量子效率和超过 60 000cd?m^-2 的最大亮度,展现出较大的应用潜力。本文总结了配位型亚铜卤化物材料的晶体结构、合成方法和光物理性质，并探讨了其在电致发光器件中的研究进展。最后本文对配位型亚铜卤化物的结构、性质和应用进行了总结和展望。
量子点发光材料 | 超声驱动水油两相中绿色合成高稳定性CsPbBr₃@MS⋅SiO₂ 复合材料

量子点发光材料 | 超声驱动水油两相中绿色合成高稳定性CsPbBr₃@MS⋅SiO₂ 复合材料

摘要：卤化铅钙钛矿纳米晶因其优异的光学性能而受到广泛关注，但其环境稳定性差以及传统合成路径中存在高毒性问题仍制约着其实际应用。本文提出在水/油两相中通过超声诱导策略，在介孔硅微球(MS)中原位合成包覆的 CsPbBr₃ (CsPbBr3@MS)复合材料。在该方法中，无配体的CsBr水溶液与预先分散在介孔硅微球中的油酸铅在超声波的作用下,实现了离子由水相向油相介孔中扩散,在介孔硅微球中原位成核并最终封装CsPbBr纳米晶。通过光学性质研究与稳定性测试探究，表面包覆层对 CsPbBr₃@MS 复合材料的发光性能以及稳定性都有较大提升。适度的CsBr水溶液量也可以优化材料的光学性质，产物最高荧光量子产率高达 60% 。随后，结合介质孔中微量水溶液辅助正硅酸乙酯水解，在CsPbBr₃@MS 复合材料表面构建了致密的 SiO₂ 壳层，显著提升了光学稳定性。经过水中浸泡 60h 后，该材料的发射强度仍可保持初始值的 80% 。该工作为绿色合成稳定、高性能钙钛矿纳米材料提供了新策略。
量子点发光材料 | L Ph₄P)₂SbCl₅ 纳米晶/PVDF复合纤维薄膜及偏振发光性能

量子点发光材料 | L Ph₄P)₂SbCl₅ 纳米晶/PVDF复合纤维薄膜及偏振发光性能

摘要：具有偏振发光特性的新型材料在显示器件中具有易集成、低能耗等优势，有望取代传统偏振片实现器件的小型化。非铅金属卤化物作为一类新型发光材料,具有低毒性、带隙可调、荧光量子产率高、可溶液加工等显著优势,在照明与显示领域具有重要潜在应用价值。本文以锑基有机-无机杂化非铅金属卤化物为材料体系，采用静电纺丝技术原位制备了具有偏振发光特性的 (Ph₄P)₂SbCl₅ 纳米晶/聚偏氟乙烯(PVDF)复合纤维薄膜。透射电子显微镜表征结果表明， (Ph₄P)₂SbCl₅ 纳米晶/PVDF复合纤维中 (Ph₄P)₂SbCl₅ 呈纳米棒状，直径约为 30nm ，且沿纤维轴向分布 _o(Ph₄P)₂SbCl₅ 纳米晶/PVDF复合薄膜具有均匀的橙红光发光,发光峰位于 600nm 处,偏振度可达O.5,并且荧光量子产率(photoluminescence quantum yield,PLQY)可达 58.7% 。分析得出，复合纳米纤维的高偏振发射源于发光中心的定向跃迁偶极矩及PVDF基质的介电限域效应。最后,以该复合纤维薄膜作为荧光转换层、紫外发光二极管(light-emiting diodes,LED)芯片作为激发源制备了荧光转换型橙红光LED器件。本文所制备的 (Ph₄P)₂SbCl₅/PVDF 偏振发光复合纳来纤维薄膜有望应用于新型显示器件。
量子点发光材料 | 绿光InP基量子点发光性能提升策略：表面钝化与配体工程

量子点发光材料 | 绿光InP基量子点发光性能提升策略：表面钝化与配体工程

摘要：胶体量子点(QDs)因其独特的尺寸依赖发光特性、高色纯度和高荧光量子产率(PLQY），被誉为下一代显示与照明技术的核心发光材料。其中,磷化铟(InP)量子点凭借其优异的环境友好特性、光谱覆盖范围广、可溶液加工的低成本优势，在下一代显示与照明领域展现出巨大应用潜力。本文系统分析了绿光InPQDs的研究现状，重点阐述了绿光InPQDs的3个关键突破：一是在化学合成上，通过精确控制反应动力学，成功实现了尺寸均一、结晶度高的绿光InP晶核的制备；二是在表面钝化方面,通过离子钝化和壳层钝化,消除了晶核表面缺陷态，提升量子点的PLQY;三是在配体工程方面，通过QDs表面配体的调控，获得了稳定且能级适配的InPQDs。最后,对InPQDs未来发展方向进行了展望。
量子点发光材料 | 无机氧化物包覆提升绿光CdSe/ZnS量子点扩散板的稳定性

量子点发光材料 | 无机氧化物包覆提升绿光CdSe/ZnS量子点扩散板的稳定性

摘要：为了提升绿光CdSe/ZnS量子点在显示应用中的光学稳定性，克服其在扩散板中易受环境影响，如水、氧气等，以及聚合物与量子点不相容使得量子点表面配体脱落而导致发光效率下降的问题，本研究探索更加有效的保护策略，增强其在蓝光激发下的光稳定性和湿热稳定性。本研究首先采用微乳液法、Stober法在绿光量子点表面制备了QD@SiO2包覆层，采用溶胶-凝胶法在量子点表面制备了QD@AIO包覆层；然后，对制备的（ 2D@SiO₂ 和QD@AIO进行了形貌、结构及光致发光(PL)稳定性等方面的表征与测试;最后，将这两种量子点复合材料分别制成绿光量子点扩散板，并在蓝光心 200mW/cm² 和湿热蓝光 (50^°C/90%RH,5000cd/m² 蓝光)条件下进行老化测试，评估其在显示应用中的光稳定性和湿热稳定性表现。实验结果表明，所制备的 ΔQD@SiO₂ 和QD@AIO在蓝光激发下均表现出优异的光学稳定性。其中，AlO_x 保护层因其具有更小的比表面积和孔容使其在湿热老化测试中具有更好的稳定性，能够有效抑制量子点发光效率的衰减。本研究通过两种表面包覆方法有效增强了绿光量子点的环境稳定性，基本满足显示器件对高光稳定性和湿热耐受性的要求，为高性能量子点器件的开发提供了理论基础和实践方案。
量子点发光器件 | 多功能配体修饰实现高性能蓝光量子点发光二极管

量子点发光器件 | 多功能配体修饰实现高性能蓝光量子点发光二极管

摘要：量子点发光二极管(QLED)因其优异的光电特性，被视为下一代显示与照明技术的有力候选者。然而蓝光QLED在性能上仍显著落后于绿光和红光器件，严重制约了QLED全彩显示技术的商业化进程。一方面，蓝光量子点较深的价带能级使其与空穴传输层之间存在较高的空穴注入势垒，且表面长链油酸配体不利于载流子传输。另一方面，蓝光量子点核、壳材料的能级差较小，导致载流子容易与表面缺陷态发生耦合，引起非辐射复合，降低器件效率。本研究采用多功能配体盐酸苄基羟胺(BHACI)修饰蓝光量子点的表面。BHACI取代原有的长链油酸配体，提升了量子点薄膜中的载流子传输性能；其分子中的 NH₃⁺ 基团能够钝化表面硫悬空键，抑制非辐射复合；BHAC1具有的大偶极矩使量子点能级整体上移，提高了空穴注入效率。基于此，制备的蓝光QLED器件实现了外量子效率(EQE)为 19.2% ，峰值亮度为28237cd?m^-2 ，在 100cd?m^-2 初始亮度下器件寿命为 8986h ，各项性能显著优于对照器件。
量子点发光器件 | CdZnSe基量子点用于高性能纯蓝光量子点发光二极管

量子点发光器件 | CdZnSe基量子点用于高性能纯蓝光量子点发光二极管

摘要：量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emiting Diodes,QLED)因其窄发射光谱、广色域覆盖、高亮度及低功耗等优势,在高分辨率显示和增强现实等新兴领域展现出广阔应用前景。但蓝色器件的发光效率和稳定性显著落后于红色和绿色器件,这限制了全彩显示的发展。本研究提出了一种基于ZnSe主体并引入Cd离子调控发射的合成策略，通过在高温条件下快速注人 Cd²⁺ 实现离子交换,成功制备出发射峰位为 469nm 、光致发光量子产率（Photoluminescence QuantumYield，PLQY为 79% 的CdZnSe核量子点(QDs)，并在核QDs外进行ZnSe/ZnSeS/ZnS多层壳层外延生长，有效钝化表面缺陷、增强结构稳定性并显著降低非辐射复合速率。结果显示多层壳层后的QDs发射峰稳定在 463nm ,PLQY进一步提升至 92% ，呈现纯蓝色发射；以此构建的QLED器件峰值外量子效率达到 18.5% ，最高亮度达到 6.34×10⁴cd/m² 0该策略通过离子交换与多层壳层钝化的协同作用，实现了纯蓝区QDs的高PLQY、稳定发射的高性能QLED器件，为深蓝区QDs的高效制备提供了有效方法。
量子点发光器件 | 长寿命量子点发光二极管的功能层设计

量子点发光器件 | 长寿命量子点发光二极管的功能层设计

摘要：量子点发光二极管(Quantum DotLight-emiting Diode，QLED)具有卓越的性能，如高色纯度、宽色域和可调节的发射波长。这些独特的优点使其成为下一代显示器和固态照明领域的有力竞争者。本文系统地分析了长寿命QLED器件的设计策略,从量子点发光层(Emiting Layer，EML）、电子传输层(Electron Transport Layer，ETL）、空穴传输层(Hole TransportLayer，HTL)等3个核心功能层梳理长寿命QLED器件的共性特征和规律,为后续蓝光QLED器件和更多量子点体系QLED器件寿命的提升提供有益的思路，对长寿命QLED技术的发展提出展望。
量子点发光器件 | 量子点环境稳定性研究进展

量子点发光器件 | 量子点环境稳定性研究进展

摘要：量子点由于具备荧光量子产率高、吸收带宽、发射峰窄、光学稳定性好等优异光学性质，受到了工业界和学术界的广泛关注，并成为了新型显示领域的关键光电材料之一。但是在实际应用场景中，量子点在环境中的稳定性会不可避免地受到氧气、水、光、热等因素的影响。本文旨在为提升量子点的环境稳定性提供思路和建议。通过分析量子点的环境稳定性的潜在影响因素，明晰了光照和温度会加速水氧对量子点的刻蚀过程。随后我们分析了量子点系统与环境稳定性之间的关系，阐明了量子点系统内部各个因素的相互关联关系。为了实现量子点的环境稳定性，需要综合考虑整个量子点系统，包括量子点结构、量子点无机表面、有机配体以及与溶剂（介质)的表界面。在此基础上，我们以量子点膜和量子点扩散板为例，初步介绍了量子点在显示中的应用，明确了其实际的高温、低湿工况条件。
量子点发光器件 | 基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展

量子点发光器件 | 基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展

摘要：作为可视化信息的载体，显示器在越来越数字化和智能化的生活中扮演着不可或缺的角色。量子点发光二极管(QLEDs)凭借卓越的性能，正蓄势引领下一代显示技术浪潮，并有望重塑国际显示面板市场格局。然而，目前QLEDs器件的实际应用仍受到一些限制,例如发光性能和寿命尚未达到商业应用的要求。为了制备高性能的QLEDs,对各个功能层的界面进行修饰是研究中常用的方法。基于此，本综述从多个方面总结了QLEDs界面修饰的研究进展，详细分析了界面修饰机制及其对QLEDs性能的影响。最后,指出了QLEDs发展中存在的不足，同时展望了其未来的发展方向。希望该综述能为QLEDs的学术研究和产业化带来有价值的参考。
量子点发光器件 | PFI引入PEDOT：PSS空穴注入层提升 Cu-ln-Zn-S基量子点发光二极管性能

量子点发光器件 | PFI引入PEDOT：PSS空穴注入层提升 Cu-ln-Zn-S基量子点发光二极管性能

摘要：多元铜基硫族量子点发光二极管(QLEDs)中空穴注入过慢造成的电子-空穴注人不平衡是限制器件性能提升的主要原因之一。本研究设计了一种全氟化树脂(PFI)改性聚（3,4-乙烯二氧噻吩)-聚（苯乙烯磺酸盐）（PEDOT:PSS)的策略，借助PFI的自组装特性构建出具有梯度能级的空穴注人层PFI-PEDOT ∵ PSS。单空穴传输器件进一步证明，PFI-PEDOT ∵ PSS空穴注入层可有效降低器件空穴注入势垒并提高空穴注入效率，从而使器件性能得到提升。最终采用PFI-PEDOT ∵ PSS作为空穴注入层、Cu-In-Zn-S量子点作为发光层制备的电致发光器件的峰值外量子效率达到 4.7% ，是PEDOT ∵ PSS基器件的2.2倍。结果表明，这种将PFI引入PEDOT : PSS空穴注入层的修饰策略可以有效提升Cu-In-Zn-S基QLEDs器件性能，也为后续环境友好型QLEDs产业化应用奠定了重要研究基础。
量子点发光器件 | 光交联技术在钙钛矿量子点显示中的应用

量子点发光器件 | 光交联技术在钙钛矿量子点显示中的应用

摘要：金属卤化物钙钛矿量子点(QDs)具有优异的光电性质，包括高荧光效率、高色纯度、光谱连续可调以及溶液加工特性等,在下一代超高清、柔性显示等领域具有重要的应用前景。经过近10年的快速发展,钙钛矿QDs发光二极管(QLED)的器件性能取得显著的提升，红/绿/蓝光器件的外量子效率(EQE)均已经超过 20% 。目前，钙钛矿QDs在显示应用中面临的核心问题是材料稳定性差以及如何在实现QLED高分辨率像素的同时保持器件的高发光效率。光交联技术是以特定波长光源(紫外光为主)触发含光敏基团的分子发生交联反应，形成三维网络结构，进而调控材料性质的技术，其有望解决钙钛矿QDs的稳定性问题，同时能够实现QDs的高分辨率图案。本文系统总结了近年来钙钛矿QDs中光交联技术的研究进展,重点阐述其在提升钙钛矿材料稳定性,实现高分辨率像素图案化，以及钙钛矿QLED制备与性能优化等方面的应用。
量子点发光器件 | 胶体量子点直接光刻技术的发展与应用

量子点发光器件 | 胶体量子点直接光刻技术的发展与应用

摘要：量子点发光二极管(QLED)因其色彩纯度高、发光效率高、稳定性好、可溶液加工、全彩可调以及与现有工艺兼容性好，被认为是下一代高分辨率、低功耗显示器件的有力候选。实现量子点图案化是其显示应用的前提，多种光刻技术应运而生。目前QLED图案化技术正在从传统光刻、喷墨打印等工艺复杂、性能损伤大的制备方法向直接光刻等高分辨率、无损伤方法演进。本文综述了量子点直接光刻技术的基本原理,重点讨论了3种光敏基团(叠氮类、偶氮类、二硫键类)的交联机制、光刻性能及其对QLED性能的影响,对未来量子点直接光刻技术的发展趋势及其在QLED显示的发展方向进行了预测，对未来图案化QLED显示技术的发展方向具有一定参考意义。

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目录

量子点发光材料 | 配位型亚铜卤化物发光材料与器件研究进展

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量子点发光材料 | 超声驱动水油两相中绿色合成高稳定性CsPbBr3@MS⋅SiO2 复合材料

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量子点发光材料 | L Ph4P)2SbCl5 纳米晶/PVDF复合纤维薄膜及偏振发光性能

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量子点发光材料 | 绿光InP基量子点发光性能提升策略：表面钝化与配体工程

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量子点发光材料 | 无机氧化物包覆提升绿光CdSe/ZnS量子点扩散板的稳定性

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量子点发光器件 | 多功能配体修饰实现高性能蓝光量子点发光二极管

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量子点发光器件 | CdZnSe基量子点用于高性能纯蓝光量子点发光二极管

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